中微国际有限公司2004由尹志尧在创立，尹志尧毕业于中国科学技术大学化学物理系，在硅谷英特尔公司、芯片研究所、应用材料公司等电浆蚀刻供职16年，在半导体领域尹志尧个人拥有60多项技术专利，被称为“硅谷最成功的华人之一”。
尹志尧的回国离不开上海芯片产业的奠基人、国家大飞机项目的启动者之一江上舟，他一直致力于推动包括大飞机和半导体在内的许多重大科技项目，中国内地最大的晶圆体代工厂中芯国际的创立也离不开他。
2004年，时年60岁的尹志尧决定回国创业。他说：“我给外国人做了几十年嫁衣了，是时候报效祖国了。”与此同时，他还说服并带回了一批在硅谷主流半导体设备公司或研究机构工作多年的资深华裔工程师，后来共有15位半导体领域资深工程师与已经60岁的尹志尧一起创建了中微公司。尹志尧虽然花甲之年，却依然雄心万丈。
尹志尧创业的时候加上政府的支持，才有不到6000万的资金，在在投资巨大的半导体行业，无异于杯水车薪，而这个时候江上舟为他拉来了5000万美元的无息贷款。这让中微的发展一下进入了快车道。
有技术有资金，中微选择挑战蚀刻机和薄膜沉积设备，仅用了4年的时间，2008年，中微基于电感耦合技术研发的12英寸刻蚀设备。
它可以配置多达六个刻蚀反应腔和两个可选的除胶反应腔。其中刻蚀反应腔采用了轴对称设计，具有高反应气体通量。ICP发射天线采用了中微具有自主知识产权的低电容耦合3D线圈设计，可实现对离子浓度和离子能量的高度独立控制。反应腔内部涂有高致密性、耐等离子体侵蚀材料，以获得更高的工艺重复性和生产率。中微自行研发的12英寸刻蚀机卖到了台湾，进入了芯片生产线。
中微从成立以来，目标一直就是：咬住国际先进水平不放松。但这让中微承受了巨大的压力，中微每年的研发支出差不多是5000万美金，而这只是美国应用材料年均研发投入的1/20，中微2017年的销售收入才不到2亿美元，研发支出占了销售收入的30%。
不过中微还是用微薄的投入做出了惊人的成就，从2008年起，中微主要攻关的是介质刻蚀工艺，它先后成功开发和销售了适用于65/45/28/20/14/10/7纳米工艺制程的一系列等离子体刻蚀设备，始终保持着与当时的世界先进水平同步。
中微半导体CEO尹志尧形容说：“在米粒上刻字的微雕技艺上，一般能刻200个字已经是极限，而我们的等离子刻蚀机在芯片上的加工工艺，相当于可以在米粒上刻10亿个字的水平。”
中微生产和销售的500多个刻蚀反应台已经在中国、RB、韩国、新加坡、中国台湾等国家和地区的40条先进芯片生产线上运行，高质量地生产了6000多万片晶圆。2017年7月，台积电宣布将中微纳入其7纳米工艺设备商采购名单，使中微成为唯一进入台积电7纳米工艺蚀刻设备的大陆本土设备商。
2017年初，在美国总统科学技术咨询委员会向总统提交的报告《确保美国半导体的长期领导地位》中，中微是唯一被提及的中国企业。
此前，美国商务部在实地考察了中微和中芯国际后，于2015年2月9日公告放弃限制对华出口刻蚀设备并通报瓦森纳协议。
这一事件标志着西方国家在集成电路高端装备领域的垄断和对华封锁首次被打破。
2017年尹志尧更是宣布，中微已经掌握5n技术，预计年底正式敲定5纳米刻蚀机。无独有偶，两周后，IBM也宣布掌握5奈米技术。因此，尹志尧这一宣布，意味着中微在核心技术上突破了外企垄断，中国半导体技术第一次占领至高点。
这简直是为中国的高精尖技术企业挣了一口气，让西方封锁成为了笑话。
2018年深圳中微半导体自主研发的5n等离子体蚀刻机，还通过了台积电的验证，这标志着中国在蚀刻机领域已经领先世界。
除了介质刻蚀之外，中微在硅刻蚀上也做出了重大的突破，中微刻蚀设备已经装备了国内所有的集成电路先进封装企业。市场占有率超过50%。同时还远销欧洲，应用于新兴的微电机系统的传感器制造。
在薄膜设备领域，像金属有机物化学气相沉积设备。用于制造蓝光的中微设备在最近两年，从几乎为零的国内市场占有率一举实现超过70%的市场占有率，彻底打破了美国维科和德国爱思强两家供应商长期垄断市场的局面。中微可以说是全球最大的供应商。
并且中微还在攻破金属硬掩膜刻蚀领域，从而实现实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖。
后面马上就到了中微的高光时刻，中微取得了如此厉害的突破，自然也引来美国的不满，你一个中国企业凭什么做得这么牛！10多年来，美国应用材料、泛林研发、维科三大半导体设备公司轮番对中微发起了商业机密和专利侵权的法律诉讼，意欲遏制中微的发展。
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