“余总，对于我们的两台设备，你还有什么意见，或者想了解的？”一旁的ASML工作人员问道。
“没什么了……回吧。”
余子贤没什么看的了，主要确认设备的存在和完好性，再一个就是对应设备技术特性，而余子贤看重的主要两点:1.5微米的制程、步进式。
在余子贤心里，这两台光刻机已经是香积电的了。其他的事情，就交给谈判桌上搞定，然后尽可能涩争取尽可能的利益。
当余子贤参观完成苔积电库房的光刻机，向ASML确认了购买意向之后，与ASML的谈判重心就从欧洲芬兰转移到了湾岛新竹。
说到苔积电于ASML合作以及壮大的原因还要数浸入式光刻。
那么什么是浸入式光刻了？
自从摩尔定律被提出，人类的想象力就得到了无限发挥的空间。每一次尺寸缩小就意味着制程上的革新，一幕幕工艺上的改朝换代就这样不断上演，浸入式光刻也就此走上了历史舞台。
浸入式光刻的原型实验在上世纪90年代开始陆续出现。1999年，IBM的Hffngle使用257n干涉系统制作出周期为89n的密集图形。当时使用的浸入液是环辛烷。但因为当时对浸入液的充入、镜头的沾污、光刻胶的稳定性和气泡的伤害等关键问题缺乏了解，人们并未对浸入式光刻展开深入的研究。
2002年以前，业界普遍认为193n光刻无法延伸到65n技术节点，而157n将成为主流技术。然而，157n光刻技术遭遇到了来自光刻机透镜的巨大挑战。这是由于绝大多数材料会强烈地吸收157n的光波，只有CF2勉强可以使用。但研磨得到的CF2镜头缺陷率和像差很难控制，并且价格相当昂贵。雪上加霜的是它的使用寿命也极短，频繁更换镜头让芯片制造业无法容忍。
正当众多研究者在157n浸入式光刻面前踌躇不前时，时任TSMC资深处长的林本坚提出了193n浸入式光刻的概念。在157n波长下水是不透明的液体，但是对于193n的波长则是几乎完全透明的。并且水在193n的折射率高达1.44，而可见光只有1.33！如果把水这样一种相当理想的浸入液，配合已经十分成熟的193n光刻设备，那么设备厂商只需做较小的改进，重点解决与水浸入有关的问题，193n水浸式光刻机就近在咫尺了。同时，193n光波在水中的等效波长缩短为134n，足可超越157n的极限。193n浸入式光刻的研究随即成为光刻界追逐的焦点。
浸入式光刻是指在光刻机投影镜头与半导体硅片之间用一种液体充满，从而获得更好分辩率及增大镜头的数值孔径，进而实现更小曝光尺寸的一种新型光刻技术。
回到91年的此时，苔积电只是苔积电，ASML只是ASML，两者都还是各自领域中弟弟。
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