第一百八十四章 缠她身子啊(1 / 2)

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一个时之后,鹿岛智、曹飞们参观回办公楼。一人在听余子贤关光刻有可能货情况简要介之后,纷皱眉。

鹿岛树也给家简要绍了一有关光胶的情

胶是由光树脂、增感剂溶剂三主要成组成的、对光敏的混合体。

用光化反应,曝光、影、刻等工艺所需要微细图从掩模转移到加工基上的图转移介,其中光是通紫外光、电子束、准分子光束、X射线、子束等光源的射或辐,从而使光刻胶溶解度生变化。咦,少一段!欢请大收藏:()斋书更新速最快。

光刻胶1959年被发以来一是半导核心材,随后改进运到PCB板的制,并于几年开运用到板显示加工制。最终用领域括消费子、家电器、车通讯

工艺约整个芯制造成的35%,耗时整个芯工艺的40%~60%,半导体造中最心的工。靠,少了一!斋书,最快新最新节!

刻技术着芯片成度的升而不发展。了满足成电路密度和成度水的更高求,半体用光胶通过断缩短光波长提高极分辨率。

世界片工艺平此时跨入微米级别,光刻的波长紫外宽逐步至g线(436n)、i线(365n)。目前,半导体场上主使用的刻胶包g线、i线两类刻胶,光刻胶心技术本被曰和美国业所垄

胶不仅有纯度求高、艺复杂特征,需要相光刻机之配对试。一情况下,一个芯在制造程中需进行10~50光刻过,由于板不同、分辨率求不同、蚀刻方不同等,不同的刻过程光刻胶具体要也不一,即使似的光过程,同的厂也会有同的要

不同应需求,刻胶的种非常,这些异主要过调整刻胶的方来实。因此,通过调光刻胶配方,足差异的应用求,是刻胶制商最核的技术。日,没看了又了段!秒钟记,斋书()。

国内半体光刻起步很,就算有一些家和院生产的刻胶,术水平常落后,只能应于一些究院所小批量使用。

算是在20年后,半导体料生产能主要中在PCB光刻、TN/STN-LCD刻胶等低端产,TFT-LCD、半导光刻胶高技术垒产品能极少,仍需大进口,而导致内光刻需求量大于本产量。

更何谈1991的此时。

“刚,我已让佟若联系金江和郝他,尽搞清楚底是什原因导此次断可能!”此时必要搞清原因,能对症药。

过此时余子贤旧想不,目前积电才仅是调阶段,受到芯制造材的断供,这实在点让人不明白!

此时,香积电有的设已经安到位,算是设的调试进入了声,马就可以开始生线最后联试,及最后试运行

厂家技人员参多比较,所以试工作进展比快!甚都不用到101日了。

而之魔芯科派去美亚利桑州联系WDC公人员,经成功请到了W65C02及W65C816微控器的生授权,WDC公很乐意权魔芯技公司产。

权费用为签署是连续权模式,也就是直到6502芯专利到之前的余年之,每年芯科技要给给WDC公支付授费用。过,因每年的权费用大幅度降,比子贤预的要低许多,年80美元。过WDC唯一的求就是允许再第三方权,只用于魔科技参或者控公司所的电子品。

对于余贤想要6502芯片8和16芯片继改进设的授权,因为魔科技资的关系,暂时没签署正协议,是简单签署了个意向议。根WDC司初步露的信,这个权费用会太低,起步都每年300万美

授权协,WDC公司直提供了W65C02及W65C816芯片全套设版图图

W65C02及W65C816这芯片都成熟的片设计,所以芯设计的图验证、流片等节都不进行。以直接芯片版几何数标准(GDSII)格式文件送制板厂掩膜板,掩膜板作完成便可上水线生,最后到布满晶的裸

测试在片切割封装之对裸片行测试,以测试片是否格。这裸晶通晶圆测(CPtest,也称为片功能试)之,对损裸晶进标记,便后续良率分和提升。

只要后生产片良率到预定标,这次的生线改造算是成了。

与后续良率急提升,需要在续进行备微调,工艺工的不断善中完

原计划,第一步是实现前小博学习机大霸王戏机的片生产代!

前小博学习机大霸王戏机销火爆,日电子月所需的8位W65C02处器芯片量共计20万块右。

香积电产线改完成之,因为产线初良率偏的缘故,前两个每月芯产量大在24块波动(8000片晶圆*100*30%良率),后续芯量会随良率的高而提

计划,积电生线良率在三个内提升60%上,半内提升80%上,一内满产且90%以上。

当良率升至80%以后,良率的一点提都需要入大量资金,以在90%以后,为了资性价比,一般都会在专花大代去刻意高了。

而且现的情况,香积电8位版W65C02处理器年的产就够华电子使1年有了。等后半年,此刻正全力秘研发的霸王版SFC会降临,到时候需要16位版本W65C816理器芯了。届,香积1.2米生产线的才算真正派用场。

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