第493章 摩尔定理(1 / 2)

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半个纪以前,一位名戈登?E?摩尔年轻工师在认审视了所从事这个羽初丰的业后,言了未10年将出现大事件。在专业志《电学》(Eltrns)上登的一长达4的文章,摩尔家庭计机、手和汽车动控制统的未作出了言。他文中写,集成路上的子元件会以最济的方整合在起,并元件的目将会年稳定增,而种现象不断地进现代学出现迹。

10年过,集成路的指级增长——后来称为“尔定律”——仍有终止迹象。今天看,这一律描述一段非的、长50年久的辉时光。这段时里,计机、个电子设和传感层出不。怎样大摩尔律对人现代生的影响不过分。没有摩定律,在的我就不可坐飞机行,打话沟通,甚至不能启动碗机。有摩尔律,我也不可发现希斯玻色或创造互联网。

然而,摩尔定究竟所何物?何以如成功?是否论了不可挡的科发展趋?或者,它是否是反映工程学史上的段独特期?正在这段间里,借硅晶特殊属和一连稳步的程创新,我们才得了这十年的大进步。

我要的是,尔定律作的任预测都是必然发生的。相反,只是对类智慧、辛勤工和自由场激励制的证。摩尔预言在初只是一个新行业所的极为单的观。但是着时间推移,个预言成为一满含期和自我明的预——其就是一工程师公司在现摩尔律的效后,持不断地行的创。他们直在努让摩尔律继续挥作用,防止自在竞争被淘汰局。

还要指的是,管摩尔律一直不停地解读,它并非一个简的概念。在过去干年中,摩尔定的含义直在反变化,至目前仍在演。如果们希望摩尔定中提取何有关展进步特性以对未来言的信,我们必须对作出更一步的读。

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20世60年初期,硅谷还成为被们所熟的“硅”之前,摩尔在童半导公司担研发总。摩尔其他几研究硅子设备同事,一起离肖克利导体实室后,1957年共同立了仙半导体司。

童半导公司是时为数多的几开展晶管研究公司之。而现,晶体作为无不在的关,大地(数亿计)集成在片上,于完成类计算数据存工作。时,仙半导体司在很的时间便发掘了自己利基市

时,大分电路靠人工单个的体管、阻器、容器和极管连在电路上的。在1959年,童半导公司的?赫尔(JenHerni)发了平面体管,种晶体是在硅平面上工而成,而不采用凸的硅台

这种加工艺,程师们以在晶管上方引线将元件连在一起,从而在一片芯上一次制作出“集成电”。德仪器的克?基比(kKilby)最先出了初的集成案,利架在芯表面之的“飞线”将器连接在起。但摩尔的事罗伯?诺伊(RbertNe)却向人展示,平面晶管也可像立方一样用制造集电路,需将晶管镀上层氧化绝缘层,然后添铝来连器件即。仙童导体公采用了种新的构并制了首批集成电。1961年发的首款集成电共容纳4个晶管,这当时是项很了起的成。到1965年,仙童导体公已准备布带有64个元的芯片

了这项术的摩在1965年发的论文开篇便出大胆述:“成电子术是电学的未。”在天看来,这一声已不证明,但当时却满了争。许多怀疑集电路只满足一小份额场的需

怀疑是有可原。尽管初的集芯片比工连线芯片紧许多,它们的本也高很多——按照今的币值算,每元件约30美,而独元件的本却不10美。当时场上只几家公制造集电路,它们真的客户只有NASA和国军方。

而晶管性能不可靠一不争实让问变得更严重。当时制出的单晶体管,只有小部分——摩尔来回忆出,只百分之至二十——能够正发挥用。将样的六个器件起放在成电路,你一会认为些小问会叠加,导致只极少数芯片能正常使

,这一辑却是误的。实上,制造含8个晶管的芯时,能正常使的芯片例与制8个单晶体管的可使比例是近的。因在于种概率不是针单个晶管而言。缺陷占用空,而多类型的陷会像溅的油一样随分布。果将两晶体管密地放在一起,单个晶管自身缺陷便以同时响两个体管。此,将个晶体并排放一起时缺陷导的失效险与单一个晶管是相的。

尔确信,最终一能够证集成工是经济算的。1965年发表论文中,为了证集成电拥有无光明的来,摩在一幅线图中照先后序绘制5个时点。第个时间是仙童导体公首款平晶体管世,随是公司一系列成电路品推出时间。尔采用是半对曲线图,其中一轴是分不均匀对数坐轴,另个轴是度均匀普通坐轴。指函数在种坐标中会被示为直线。而摩所画的,连接这5个时间的线大是一条斜的直线,其倾度恰好应集成路上每翻倍的件数量。

从这小小的势线出,摩尔出了大的推断:这种翻现象将续维持10年。预测,1975年时,成电路的元件量可以64个加至6.5万个。实际上,摩尔的测几乎全正确。摩尔于1968离开仙半导体司,并别人共创立了特尔公。而英尔公司1975年所筹推出的款电荷合器件(CCD)存储芯中,大有3.2个万元——仅摩尔的倍增长测结果了一半。

在回这篇令瞩目的文时,要指出个经常人们忽的细节。首先,尔预测是电子件的数——而仅仅是体管或他器件(例如电器、电器、二管)的量。许早期集电路上含有的阻器数的确要晶体管。后来,较少依非晶体元件的属氧化半导体(MOS)线路问时,数时代才正开启。晶体管始发挥导作用,它们的量就成衡量集电路复性的更有效的标。

篇论文展现了尔对集工艺经性的关。他所义的每芯片上元件数并非最值或平值,而当每个件的成达到最值时的件数量。他已经识到,个芯片能够集的元件量和具经济意的元件量并不定等同。相反,一代芯加工技都存在个“最状态点”。芯片的元件多,单元件的本便会低。但当超过个临界之后,既定空内集成多的晶管将会加出现命缺陷可能,降低有芯片的出率。该临界开始,个元件成本将始升高。集成电设计和产的目便是——现在仍是——到这个佳状态

芯片加工艺的进,达最佳状点时的件数量越来越,每个件的成也越来低。在去50里,晶管的成已经从30美元(按照现的币值算)下到十亿之一美左右。尔几乎能预测如此大降幅。是,早1965年,摩就已意到,集电路作分立元的替代,将从成本、性能转为低成、高性。无论性能还经济方,都更向于集工艺。

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10之后,尔重温修正了曾经的言。在为1975年的IEEE际电子件会议做的分报告中,摩尔首解答了件数量倍如何现的问。他提,这一化趋势由3个素决定:越来小的元尺寸、断增加芯片面和“器精明性(devleverness)”,工程师够缩小少晶体之间的使用面

认为,现翻倍势有一是因为两个因,另一则应归于“精性”。是对于特尔公当时正备发布CCD储器,认为精性将很不再发决定性用。在CCD阵中,所器件均密麻麻排列成密的网状,已没有多空间可一步节。于是,摩尔预,未来翻倍趋很快将受两个素驱动:更加微的晶体和更大积的芯。而后便是翻速度将半,元数量从年翻一减缓为两年翻倍。

有讽刺味的是,事实证CCD储器太易出现障,因英特尔司并未布该产。尽管此,摩的预言在逻辑片上得了验证。以微处器为例,自20纪70代起,处理器的元件量便一在以每年翻一的速率加。而有由完相同的体管组的大规阵列的储芯片增速更一些,隔约18个月,件数量便会翻倍,其主要因是这芯片的计更为单。

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