1、寿命黑：
以前t卖的价格的确还有黑点在寿命上，但是现在850ev了，还有人抱着老黄历瞎黑
主要问题集中在850系列用了3dnnd，按官方说法是pe数提升2-10倍，达到35000pe，这还只是第一代，850用的是第二代，这个数据是ppt不假，但实际情况的确在按照3dnnd的寿命数据改观，3dnnd可以理解为盖楼房，以前只能盖平房，现在不再那么依赖于纳米工艺提升带来的容量增加成本降低，原先20n才能做到的容量，现在用40n也能做到，这是什么概念呢，举个例子，intel的25n颗粒pe数为5000，到了20n变成了3000，接下来的大家自己推吧。
上面是理论分析，自然有实际数据
850ev的tb数据为120/240是75tb，500/1t是150tb，tb不是直接与pe次数挂钩得来，而是根据ssdpe次数的基础上，考虑返修、固件bg、极端使用状况等风险得出来的一个保修数值，其虽然不是由pe数换算来，但是按比例体现真实的pe数据。补充一个镁光的240gx100的tb数值为72tb。。。850ev250g的保固tb已经追上了16n的，并且与稳定霸主intel730（20n）的差距并不太大，换句话说，850ev与你能买到的16/20n的寿命上基本没什么差别，并且850ev将3年质保提高到5年质保可见三星对其寿命稳定性的信心（850pr为10年）。
但是比起850pr的150还是差距巨大不是？还不是t卖的价格？这没办法，现在出售的ssd中3dnnd技术被三星一家垄断，其他家的都在开发当中，离商用还远，三星这个垄断估计还得有1年的时间，而市面上你能买到的最新产品在寿命上并不能碾压850ev，那你黑850ev的寿命有什么意义，黑完后发现要不去买断货的老家伙，要不只能高容量或者850pr，同价位没有更好的寿命选择。
2、写入黑：
而850ev的黑点更多集中在低容量的持续写入性能上,
128g在3g的sche内可以达到理论的500左右持续写入，但是写入量一旦用光了s就会降速到150左右，没错，就z256g的水平，比起竞争对手如6s128g持续写入300左右的成绩差别较大，到了250g情况好一些，用完s后为300+的写入，但是6s在256g能够达到400+，而500gb以后就没问题了。而比较有购买价值的其实是256g版本，6g的s一般不容易写完，而且写完后300+的写入也不算太糟糕，最主要是550左右的价格比6s750左右的价格本来就不是一个归档的，当然一些很廉价的如bx100256g的写入比它好，还比它便宜，不过这并非绝对，你还得考虑s没写完前炸裂的4k性能。
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